HED-T5000/
           HED-T5000VF

此設(shè)備配備了先進(jìn)的測(cè)試模式
           
           具備印加脈沖寬度為100ns/200ns的normal TLP測(cè)試與寬度到1ns的VF-TLP(Very Fast TLP)測(cè)試模式
           
           有助于驗(yàn)證HBM/CDM模式的測(cè)試
           
           對(duì)于器件管腳的入射波和器件管腳發(fā)出的反射波，都可在示波器上確認(rèn)到
           
           此數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)保存，并在專用的顯示軟件上表示
           
           專用顯示軟件可對(duì)入射波/反射波的合計(jì)值，snapback特性以及漏電流測(cè)試的電流值進(jìn)行圖形描繪
           
           被保存的示波器上的數(shù)據(jù)可以進(jìn)行高自由度的演算處理
           
           比如，對(duì)于不同工藝的晶體管的ON電壓及可以加在保護(hù)電路上的最大電流值等，可以通過(guò)曲線的重疊描繪來(lái)確認(rèn)其差異
           
           并且可以與半自動(dòng)探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)TLP測(cè)試的自動(dòng)化
           
           由于可以在Wafer level上進(jìn)行印加管腳間或芯片間的自動(dòng)移位，所以能夠很大地提升測(cè)試效率

HED-T5000-HC

目前，對(duì)于半導(dǎo)體器件的高集成度?高頻?高耐壓的需求逐年增加
           
           對(duì)于在以往的TLP測(cè)試機(jī)無(wú)法完成的高電壓?大電流的特性測(cè)試，在本設(shè)備上得以實(shí)現(xiàn)、并有助于高耐壓元件工作參數(shù)的取得及分析