emmi微光顯微鏡是利用高增益相機/探測器來檢測由某些半導體器件缺陷/失效發(fā)出的微量光子的一種設備。當對樣品施加適當電壓時，其失效點會因加速載流子散射或電子-空穴對的復合而釋放特定波長的光子。這些光子經過收集和圖像處理后，就可以得到一張信號圖。撤去對樣品施加的電壓后，再收集一張背景圖，把信號圖和背景圖疊加之后，就可以定位發(fā)光點的位置，從而實現(xiàn)對失效點的定位。
對于故障分析而言，微光顯微鏡是一種相當有用且效率高的分析工具。主要偵測IC內部所放出光子。在IC元件中，EHP Recombination會放出光子(Photon)。舉例說明:在P-N 結加偏壓，此時N阱的電子很容易擴散到P阱，而P的空穴也容易擴散至N然后與P端的空穴(或N端的電子)做 EHP Recombination。
OBIRCH(光束誘導電阻變化)
光誘導電阻變化(OBIRCH)模式能快速準確的進行IC中元件的短路、布線和通孔互聯(lián)中的空洞、金屬中的硅沉積等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定電壓下的器件表面進行掃描，激光束部分能量轉化為熱能，如果金屬互聯(lián)線存在缺陷，缺陷處溫度將無法迅速通過金屬線傳導散開，這將導致缺陷處溫度累計升高，并進一步引起金屬線電阻以及電流變化，通過變化區(qū)域與激光束掃描位置的對應，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力。
emmi微光顯微鏡特點：
①InGaAs采集相機，在近紅外區(qū)域具備高靈敏度；
②分辨率高；
③多倍率圖像采集：5X~100X；
④超低溫電制冷降低暗電流帶來的信噪；
⑤電制冷/空氣冷卻自由轉換。
